ตอนเดือนมีนาคม ซัมซุงประกาศเปิดตัว DRAM ความจุ 12GB ไปแล้ว ตอนนี้ซัมซุงจัดการรวม DRAM นั้นเข้ากับชิปหน่วยความจำ UFS 2.1 เป็นชิป uMCPs (UFS-based multichip packages) รุ่นใหม่ที่มีความจุ 10GB และ 12GB ด้วยกัน จากที่เคยทำได้มากสุดเพียง 8GB และจะติดตั้งในสมาร์ทโฟนระดับกลางมากขึ้น

วิธีการของซัมซุงคือ:

• รุ่น 12GB จะรวมชิปแรมความจุ 3GB ขนาด 24Gb 4 ตัว กับหน่วยความจำ eUFS 2.1 NAND
• รุ่น 10GB จะรวมชิปแรมความจุ 3GB ขนาด 24Gb 2 ตัว กับแรม 2GB ขนาด 16Gb อีก 2 ตัว กับหน่วยความจำ eUFS 2.1 NAND

ภาพจาก Samsung

ซัมซุงเคลมประสิทธิภาพของแรมรุ่นใหม่นี้ดีกว่าแบบ 8GB เดิม 1.5 เท่า มีอัตรารับส่งข้อมูลเร็ว 4,266 Mbps และแบนด์วิธมากถึง 34.1GB/s ช่วยให้ถ่ายวิดีโอ 4K ได้ดีขึ้น, ระบบ AI กับ Machine Learning ในมือถือทำงานดีกว่าเดิม

ที่มา: Samsung