학회 한국화학공학회
학술대회 2002년 가을 (10/24 ~ 10/26, 서울대학교)
권호 8권 2호, p.4818
발표분야 재료
제목 구리 무전해 도금의 ULSI 회로 내 배선 적용
초록 본 연구에서는 ULSI 칩 내에 형성되어 있는 패턴 위에 구리 무전해 도금 방법을 이용하여 구리 배선을 형성하는 실험을 실시하였다. 일반적으로 구리 무전해 도금 방법은 잠복기간이 길어 증착 속도가 느리다. 따라서, 이러한 잠복기간동안 농도가 높은 용액에서 구리 무전해 도금을 실시하는 경우 증착 속도를 크게 개선할 수 있다. 그 결과 15분동안 구리 무전해 도금을 실시하는 경우 두께 160 ㎚, 비저항 2.1 μΩ·㎝인 구리 박막을 얻을 수 있었다. 또한 이러한 실험 방법을 크기가 1.3 ㎛인 via에 적용시킨 결과 defect 없이 구리 증착할 수 있었다.
저자 차승환 , 김재정
소속 서울대
키워드 electroless ; copper
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원문파일 초록 보기
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