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2007.06.12
テーマ： パソコンニュース＆情報(7746)
カテゴリ： PC News
東芝が3次元構造のNANDフラッシュメモリセルアレイを開発したと発表しました。この技術によって、プロセスルールの微細化をせずに容量を増やせるとの事。ＳＳＤの普及に拍車をかけそうな話題ですね。
PC Watch からの引用です。
株式会社東芝は12日、積層した電極に柱状の素子を貫通させた3次元メモリセルアレイを開発したと発表した。
新型のメモリセルアレイの加工プロセスは、ゲート電極と層間絶縁膜を互い違いに積み重ねた積層構造に、上下に貫通する孔を一度に開け、不純物を含むシリコンを柱状に埋め込むことで生成する。これにより、シリコンの柱をゲート電極層が一定間隔ごとに覆う構造となり、各交点にあらかじめデータ保持用の窒化シリコン膜などを形成すれば、NANDセルとして機能するようになる。この技術により、積層数を増やせば接続素子数が増え、チップ面積の大型化やプロセス技術微細化に頼ることなく高容量化を実現できるとしている。貫通孔技術については同社独自の高精度エッチング技術により実現しているが、その他の技術プロセスについては従来と同じ装置と材料で構築することができる。将来にわたり継続的に大容量化を実現する一手段になるとしている。
PC Watch からの引用です。
株式会社東芝は12日、積層した電極に柱状の素子を貫通させた3次元メモリセルアレイを開発したと発表した。
新型のメモリセルアレイの加工プロセスは、ゲート電極と層間絶縁膜を互い違いに積み重ねた積層構造に、上下に貫通する孔を一度に開け、不純物を含むシリコンを柱状に埋め込むことで生成する。これにより、シリコンの柱をゲート電極層が一定間隔ごとに覆う構造となり、各交点にあらかじめデータ保持用の窒化シリコン膜などを形成すれば、NANDセルとして機能するようになる。この技術により、積層数を増やせば接続素子数が増え、チップ面積の大型化やプロセス技術微細化に頼ることなく高容量化を実現できるとしている。貫通孔技術については同社独自の高精度エッチング技術により実現しているが、その他の技術プロセスについては従来と同じ装置と材料で構築することができる。将来にわたり継続的に大容量化を実現する一手段になるとしている。
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