2005/12/19
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カテゴリ: 研究ほかきゅ~
先週の続きで『半導体の物理』です。

今日のお題は 中性不純物散乱

例えばドナー準位からCBに電子が熱励起された状態を考えると、低温状態にすると、電子は熱励起できなくなって、ドナー準位に落ち込む。
この時イオン化していた原子が中性になって散乱中心として働くというわけです。

最終的には 移動度が、温度にも電子の有効質量にも依存しない ということが導き出されます。

音響フォノン散乱や、イオン化不純物散乱の時には、移動度が温度依存性を示すのに、不思議ですね~。


そういえば本日のゼミでM1の学生が、「Si、Ge・・・」という記述を
「エスアイ、ジーイー・・・」


これにはさすがの先生も笑うしかなかったみたい。


おかげでとても和やかなゼミになりました。 ヾ(@~▽~@)ノ







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Last updated  2005/12/19 07:48:16 PM
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yuka*^_^* @ こんにちは。  私も親戚にこどもがいるけど、扱いには…
ゆう@ とうとう出ちゃったね うわさは本当だったよ。 http://himitsu.…
タクポコ@ え~ も~とれたか。 図太いな~w 太いな…
タクポコ@ 残念 発表日同じやのにほかきゅ氏の発表見れん…
ほかきゅ~ @ だは~~。 タクポコさん 3月は東京で遊ぶよ~~~♪ …
さおりん@ おかえり~ 入院生活満喫できたみたいやね(笑) 次は…
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