Monkung Factory for ThinkPad

　よせばいいのに手に入れたジャンクメモリBOX。ノート用のメモリ８枚とディスクトップ用のメモリが２枚で送料別で１Ｋ。これはお得な買い物なのか…。



　いろいろなメモリが混在しているため、今更ながらメモリの規格についてWikipediaにて調べてみた。
https://ja.wikipedia.org/wiki/SO-DIMM

　SO-DIMM (small outline dual in-line memory module)はコンピュータで使用するメモリモジュールの規格の一種である。 SO-DIMMはDIMMに対してより小さなサイズでモジュールを提供するための規格であり、その大きさはDIMMの約半分とされている。そのためSO-DIMMは主にノートパソコンや省スペースパソコンで使用される。さらに、プリンターやルーターを始めとするネットワーク機器の機能拡張の際にも用いられる。
　SO-DIMMには72ピン、100ピン、144ピン、200ピン、204ピン、または260ピンのモジュールが用意されている。100ピンのモジュールは32ビットデータ転送をサポートし、144ピンから200ピンのモジュールは64ビットデータ転送をサポートする。これは、64ビットデータ転送が可能な168ピン、184ピンまたは、240ピンのDIMMに相当する。
　SO-DIMMの種類を見分けるにはモジュール上の端子に付いている切りかきがどこにあるかによって判別できる。100ピンのSO-DIMMモジュールは切りかきがふたつあり、144ピンのモジュールは端子の中央付近(完全に中央ではない)に切りかきがひとつあり、200ピンのモジュールは端子の左右どちらかの端の付近に切りかきがひとつある。 200ピンのSO-DIMMモジュールはDDRとDDR2とを区別するために切りかきの位置にさらに僅かな差違がつけられている。切りかきがピンのある辺の端により近ければDDRであり、中央により近ければDDR2となる。DDRとDDR2とでは互換性がないため、誤って使用するのを防ぐためにこのような差違がつけられている。一見すると見分けが付かないため、これらを見分ける際は注意が必要である。

https://ja.wikipedia.org/wiki/Dynamic_Random_Access_Memory

■SDRAM
　SDRAM（Synchronous DRAM、シンクロナス・ディーラム、エスディーラム）は、外部クロックに同期してカラムの読み出し動作を行うDRAMである。外部クロックに同期することで、DRAM素子内部でパイプライン動作を行い、外部のバスクロックに同期してバースト転送することにより、0ウェイトでの出力アクセスを可能とし、外部バスクロックがそのまま使用できるために回路設計も容易となった。
　登場した当初は同期クロックはIntel製CPUのPentiumに合わせて66MHzであったが、やがてPentium IIやAMD製CPUのK6-2に合わせてPC100 SDRAMと呼ばれる規格で100MHzとなり、2000年のIntel製のPentium III用新チップセット出荷に合わせてPC133 SDRAMが本格的に使用された。パーソナルコンピュータでの使用では多くがDIMMでの実装となっていた。DDR SDRAMが主力になった後は、生産される製品は少なくなっている。

「Buffalo　VS8-S128M」
http://buffalo.jp/products/catalog/item/v/vs8/

※このメモリは144pinで中央近くに切りかきがあることから、SDRAMであると思われる。

■DDR
　DDRはDDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）のことである。内部のメモリセルアレイの読み出し時には2ビットや4ビット、8ビット分のセルを一度にアクセスし、データバスへの出力には読み出した信号線を切り替えて直列並列変換を行っている。書き込み時にはこの逆となる。パーソナルコンピュータでの使用ではほとんど全てがDIMM（Dual Inline Memory Module）での実装となっている。DDRの登場によって従来のSDRAMはSDR（シングル・データ・レート）と呼ばれることが多い。

Buffalo　DDR-2700 1GB「DN333-A1G」
http://buffalo.jp/products/catalog/item/d/dn333/

※このメモリはT40系やR50系などに使われた。（T43/R52はDDR2)

DDR-2700 256MB「Samsung M470L3224FTO-CB3」他２


■DDR SDRAM
　SDRAMでの外部同期クロックの立ち上がりと立ち下り時にデータ入出力を確定するのでSDRに比べて2倍のデータ転送速度となる。クロック信号はSDRのシングルエンド伝送からディファレンシャル伝送に変わり、位相・逆位相信号のエッジ検出を両信号のクロスポイントに置くことでデューティ比を50%に近づけた。SDRには無かったDQS（データ・ストローブ信号）によってメモリ素子とコントローラ間の配線長の自由度が増した。信号のインターフェースはSDRのLVTTLからSSTLに変えられた。 データ転送の動作周波数は200MHz、266MHz、332MHz、400MHz。電源電圧は2.5Vから2.6Vが多い。184ピンDIMM。

■DDR2 SDRAM
　DDRでの外部同期クロックを2倍に高めそれぞれの立ち上がりと立ち下り時にデータ入出力を確定するのでSDRに比べて4倍のデータ転送速度となる。"Posted CAS"機能が加わり、DDRまでは複数のリード、またはライトが連続するアクセス時にRAS信号からCAS信号までのサイクル間隔時間（tRCD）によってコマンド競合による待ち時間が生じていたが、DDR2からはRAS信号の後でtRCDの経過を待たずにCAS信号を受付け、メモリチップ内部で留め置かれて"Additive Latency"の経過後ただちに内部的にCAS信号が処理されるようになった。また、ODT（One Die Termination）とOCD（Off Chip Driver）が実装されることで終端抵抗をメモリチップ内部に持たせて、ドライバ駆動能力も調整可能として信号反射の低減など信号を最適化するように工夫が加えられた。DDR2用以降のメモリ・コントローラ側では起動時などにキャリブレーションを行うことで、メモリ素子とコントローラ間の配線のバラツキに起因するスキュー、つまり信号到着時間のズレを読み取り、信号線ごとのタイミングと駆動能力の調整を行うものがある。
　動作周波数は400MHz、533MHz、667MHz、800MHz、1066MHzの5種類があり、単体での半導体パッケージの容量では128Mビットから2Gビットまでの2倍刻みで5種類がある。電源電圧は1.8V。240ピンDIMM。

Samsung DDR2-5300 1GB「M470T2953EZ3-CE6」

※このメモリは、T60/T61などに使われたメモリ。

■DDR3 SDRAM
　DDRでの同期クロックを4倍に高めそれぞれの立ち上がりと立ち下り時にデータ入出力を確定するのでSDRに比べて8倍のデータ転送速度となる。 動作周波数は800MHz、1066MHz、1333MHzの3種類があり、単体での半導体パッケージの容量では512Mビットや1Gビット、2Gビットのものが多い。電源電圧は1.5Vと1.35V。

■Samsung DDR3-1333 1GB「M471B2873FHS-CF9」
https://www.outletpc.com/c9864-m471b2873fhsch9-1gb-ram-stick.html

※このメモリは、ThinkPad T400/T500/R400/R500以降に使われている。


　ひとつ分からないメモリがあったが、切りかきの形状から「DDR2 SDRAM」であると思われる。つまり、T60/T61などに使用可能？

​
（注意：メール便のみ送料無料）各優良メーカー製メモリ/1GB/USED美品/ThinkPad X41/T43/T43p/R51e/R52対応1GBメモリ/DDR2 200Pin S.O.DIMM【安心保証】 ​

​
バルク新品IBM/ThinkPad R60e R61 R60 SL500 Z61p T60用2GBメモリ PC2-5300/DDR2-667 ​

​
SAMSUNG純正ノート用DDR3 1066Mhz SO.DIMM 204Pin PC3-8500 Macも対応2GBメモり配送無料 ThinkPad X200対応 ​

​
メール便のみ送料無料/大手メーカー製中古美品メモリ/Lenovo ThinkPad X200/X201/R500対応2GBメモリ/PC3-8500 204Pin DDR3 2GB/動作保証/超高速 ​