繊細さと力強さを両立するUHC-MOSシングルプッシュプル回路


音楽の表現力を深める低重心化とダイレクト・メカニカル・グラウンド＆セパレート構造
振動が音質に与える影響を徹底して抑えるためパワーアンプ回路の基板の取付け位置を下げるなど、より低重心化を図っています。また、パワーアンプブロックはL/R対称のツインモノ構成とし、信号レベルの異なる回路をセパレート化した構造をとることで回路間の相互干渉やノイズの流入を防いでいます

高速・大電流に対応したハイカレント・ダイナミック電源
従来機に比べ1.5倍の電流容量を持つショットキーバリアダイオードと高音質カスタムブロックタイプ電解コンデンサーにより構成される電源回路は、安定した電流供給能力を備え、UHC-MOS大電流特性を余すことなく引き出します。電源回路とパワーアンプの基板に従来比2倍の厚みの銅箔パターンを採用し電源回路の低インピーダンス化を図りダイナミックな音の再現を可能にしています

L.C.（Leakage Canceling）マウント・ツイン・トランス
L.C.マウントツイントランスでは、2つのトランスを互い違いの向きに配置することで磁界をキャンセルし、アンプ内のノイズ源である漏洩磁束を低減
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