1)岩田誠一:「半導体プロセスにおける密着性」(薄膜の力学的特性評価技術、第3編、第2章)、リアライズ社、pp.448-479(1992) 2)岩田誠一、石坂彰利、山本博司:「Al蒸着膜へのAu線熱圧着性に及ぼすAl酸化被膜の影響」日本金属学会誌、45(1981)、603.. 3)S. Iwata, A. Ishizaka, and H. Yamamoto:"Corrosion test for metallization for plastic-encapsulated IC's," J. Electrochem. Soc., 126(1), (1979), 110-114. 4)岩田誠一:「LSI用電極・配線材料の腐食」、防食技術、35(1986), 656-661. 5)岩田誠一:「ULSIにおける腐食の問題」、材料と環境、40(1991), 336-342. 6)岩田誠一:「各種イオンを含む溶液中でのAuマイグレーション」、日本金属学会誌、45(4),(1981), 446-447. 7)岩田誠一、「希薄Clイオン溶液中におけるAl蒸着膜の腐食」、日本金属学会秋期大会一般講演概要、(1981)、341. 8)岩田誠一、石坂彰利:「ESCAで測定する絶縁薄膜の化学シフトに対する疑問」日本金属学会誌、42(1978), 1020-1021. 9)A. Ishizaka, S. Iwata, and Y. Kamigaki: “Si/SiO2 Interface Characterization by ESCA “, Surf. Sci., 84(1979), 355-374. 10) A. Ishizaka and S. Iwata: "Si-SiO2 Interface Characterization from Angular Dependence of X-ray Photoelectron Spectra," Appl. Phys. Lett., 36(1980), 71-73. 11)岩田誠一、石坂彰利:“ESCAで測定されるSi酸化膜の化学シフト”、日本金属学会誌、43(1979), 380-387; “X線照射による絶縁薄膜の帯電”、同誌、43(1979), 388-392. 12)S.Iwata: “Refractory Metal/SiO2/Si Interface and Device Characteristics”, SEMI Osaka Seminar, (1989), pp. 91-103. 13)S. Iwata and A. Ishizaka: “Thickness Measurement of Ultra-thin Si Oxide Films by ESCA”, Mat. Trans. JIM, 33(1992), 675-682.(岩田誠一:「ESCAによる極薄シリコン酸化膜の厚さの測定」、日本金属学会会報、30(7),625-632.) 14)岩田誠一、大路譲、石坂彰利:“ESCAによるSiO2/Si中の電荷の検出”、日本金属学会誌、56(1992), 863-864. 15)S.Iwata and A. Ishizaka: “Electron Spectroscopic Analysis of SiO2/Si System and Correlation with MOS Characteristics”, J. Appl. Phys. (Appl. Phys. Rev.), 79(1996), 6653-6713. 16)岩田誠一、山本直樹、矢野史子:“ESCAによるSiO2/Si内の電子トラップ、正孔トラップの検出”、日本金属学会誌、60(1996), 469-475. 17)岩田誠一、大路譲、石坂彰利:“Si上極薄SiO2膜帯電のX線照射時間依存性”、60(1996), 1192-1199. 18)岩田誠一: 「ESCAによるシリコン酸化膜内の微量不純物や欠陥の検出」、日本表面科学会誌、19(1998)、9-13. 19)岩田誠一:「ESCAによう半導体界面の評価」。第20回半導体専門講習会、(1982)、107. 「半導体研究」、第20巻、6章、工業調査会、(1983)。