ムーアの法則のムーアさんが他界されたそうである。
カーツワイルにより拡張された部分を含め、ムーアの法則と呼ばれることが多い。
現実を見ると、
「 DNAの直径は2nmで、シリコンの原子半径は約0.1nm 」
最新の半導体プロセスの配線幅は、2nm に到達していてもはや DNA と並ぶ。
ムーアの法則がさらに継続するなら、シリコン原子の直径 0.2nm まで 10倍の違いしか残っていない。
「 ムーアの法則の公式は、集積回路上のトランジスタ数は「2年ごとに倍になる」 である 」
10倍なら、2x2x2 =8倍 なので あと16年で シリコン原子の直径に到達してしまう。
ここで限界が来るのか？ と思うと 3D NANDというような立体構造の製品が出てきている。
平面展開ならシリコン原子の直径あたりで頓挫しそうなのだが、三次元構造の半導体なら 線幅2nm でも十分トランジスタ数を増やすことができる。
平屋からタワーマンションへと、半導体は変化し、ムーアの法則は拡張されながら基本的な「半導体の集積＝トランジスタの数」は、2年で２倍になっていくのだろう。
さて、線幅2nm プロセスは、日本ではまだできていない。
TSMC や IBM が成功しているらしいが。
日本は、半導体の世界のトップから既に外れている。ここは、国も気づいてきたようだが。
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