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7L3AEO
かつてはアマチュア衛星QSOブログでしたHi 最近は何でも記事にしています。
Free Space
★hQSL, eQSLを発行して頂いた場合は紙カードは
お送り頂かなくても結構です。
また、こちらからも紙カードは発行致しません。
LoTWはDXのみに発行しています。
毎月一日に前月QSO分のカードを発送していましたが
今後は更に一か月間の電子QSL待機期間を設け
翌々月の一日に発送します。
また、複数のQSOがある場合は、最大5データまで
1枚のカードに記載します。
★サテライト略歴
1980年2月1日 JH8TNU開局
1993年11月10日 7L3AEO開局
2005年6月5日 VO-52に初QRV
2011年12月24日 MIXモード全市区町村完了
2019年4月30日 CWモード全市区町村完了
2023年11月3日 SSBモード全市区町村完了
★現在サテライトは休業中ですHi
★1.9M～1200M+SAT全国版のCWモード
ウォンテットリストを作成しました。
https://plaza.rakuten.co.jp/7l3aeojcc1315/diaryall/
★当局へのコンタクトは、
7l3aeoあっとjarl.com
へどうぞ。
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毎月一日に前月QSO分のカードを発送していましたが
今後は更に一か月間の電子QSL待機期間を設け
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また、複数のQSOがある場合は、最大5データまで
1枚のカードに記載します。
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1980年2月1日 JH8TNU開局
1993年11月10日 7L3AEO開局
2005年6月5日 VO-52に初QRV
2011年12月24日 MIXモード全市区町村完了
2019年4月30日 CWモード全市区町村完了
2023年11月3日 SSBモード全市区町村完了
★現在サテライトは休業中ですHi
★1.9M～1200M+SAT全国版のCWモード
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Oct 26, 2026
カテゴリ： カテゴリ未分類
日立のMOS FET、NECのエピタキシャル・メサ型バイポーラ・トランジスタを使用したパワーアンプは完成しました。
最後はソニーのVFET（縦型FET）を使用したパワーアンプの作成にチャレンジします。
VFETはMOS FETやバイポーラ・トランジスタとは異なり、伝達特性が三極管特性を示します。
半導体でありながら真空管の音、これは大変興味深い研究対象です。
しかし、VFETはバイアスがゼロの時に最大ドレイン電流が流れる非常に扱いにくいパワー・デバイスです。
従って安全に動作させるための注意点があります。
これらの電源ON/OFF順の時間制御が必要になります。
また、③も厄介な問題で、パワーアンプが出来上がって最初に電源を入れる時はスライダックを使って徐々に1次電圧を上げ、異常な電流が流れない事を確認しますが、VFETでこれを行うとデバイス破壊に至ります。
余談ですが「徐々上げ」に対して、いきなり定格1次電圧を与える事を「ポン入れ」と言います。
以上、製品開発段階で繰り返される、一部のメーカーのローカル用語でした。
本題へ戻ります。
VFETはドレイン電流がカットオフするピンチオフ電圧が大きく、Min 7.5V、Typ 18V、Max 25Vとデータシートに記載され、ばらつきの範囲も大きくなっています。
手持ちのVFETのピンチオフ電圧が何Vなのか、あらかじめ測定しておかないと電源電圧とバイアス電圧の決めようがありません。
更に、Vgs=0V時のドレイン・ソース間の電圧（飽和電圧）が大きく、電源電圧利用率が良くありません。
これらの扱いにくく非効率である事が、メーカーからも自作派からも敬遠され、現在ではほとんど見られないパワー・デバイスになってしまったのだと思われます。
使いこなすのが困難なデバイスですが、音そのものはどうなのか？
同一設計思想で作る3台のパワーアンプはデバイスの音の違いを示すでしょう。
挑戦を続けます。
早速、中身をくり抜いてVFETアンプに入れ替える中古アンプが届きました。
ヤフオクで送料込み￥3,280でした。
この方法は自作派にとってコスパ最強です。
最初の課題は、この電源トランスを使ってVFETのピンチオフ電圧を測定して、バイアス電圧と電圧増幅段の電源電圧の決定です。
2日前に新しいアンプが完成して、既に次のアンプの検討を始めています。
不思議な人生のフェーズに入りました。
ほとんど仕事と同じHi
最後はソニーのVFET（縦型FET）を使用したパワーアンプの作成にチャレンジします。
VFETはMOS FETやバイポーラ・トランジスタとは異なり、伝達特性が三極管特性を示します。
半導体でありながら真空管の音、これは大変興味深い研究対象です。
しかし、VFETはバイアスがゼロの時に最大ドレイン電流が流れる非常に扱いにくいパワー・デバイスです。
従って安全に動作させるための注意点があります。
これらの電源ON/OFF順の時間制御が必要になります。
また、③も厄介な問題で、パワーアンプが出来上がって最初に電源を入れる時はスライダックを使って徐々に1次電圧を上げ、異常な電流が流れない事を確認しますが、VFETでこれを行うとデバイス破壊に至ります。
余談ですが「徐々上げ」に対して、いきなり定格1次電圧を与える事を「ポン入れ」と言います。
以上、製品開発段階で繰り返される、一部のメーカーのローカル用語でした。
本題へ戻ります。
VFETはドレイン電流がカットオフするピンチオフ電圧が大きく、Min 7.5V、Typ 18V、Max 25Vとデータシートに記載され、ばらつきの範囲も大きくなっています。
手持ちのVFETのピンチオフ電圧が何Vなのか、あらかじめ測定しておかないと電源電圧とバイアス電圧の決めようがありません。
更に、Vgs=0V時のドレイン・ソース間の電圧（飽和電圧）が大きく、電源電圧利用率が良くありません。
これらの扱いにくく非効率である事が、メーカーからも自作派からも敬遠され、現在ではほとんど見られないパワー・デバイスになってしまったのだと思われます。
使いこなすのが困難なデバイスですが、音そのものはどうなのか？
同一設計思想で作る3台のパワーアンプはデバイスの音の違いを示すでしょう。
挑戦を続けます。
早速、中身をくり抜いてVFETアンプに入れ替える中古アンプが届きました。
ヤフオクで送料込み￥3,280でした。
この方法は自作派にとってコスパ最強です。
最初の課題は、この電源トランスを使ってVFETのピンチオフ電圧を測定して、バイアス電圧と電圧増幅段の電源電圧の決定です。
2日前に新しいアンプが完成して、既に次のアンプの検討を始めています。
不思議な人生のフェーズに入りました。
ほとんど仕事と同じHi
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